RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
94
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
77
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
1549
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link