RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Porównaj
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
94
Wokół strony -327% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
1,165.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
94
22
Prędkość odczytu, GB/s
1,882.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,165.4
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link