RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Comparar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Pontuação geral
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Pontuação geral
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
94
Por volta de -327% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.7
1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,165.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
94
22
Velocidade de leitura, GB/s
1,882.0
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,165.4
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
305
3075
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Comparações de RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link