A-DATA Technology DDR3 1600 4GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Wynik ogólny

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Wynik ogólny

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

14 11.7

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

8.5 6.8

Średnia wartość w badaniach

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 41

Wokół strony -32% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

17000 10600

Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

41 31
Prędkość odczytu, GB/s

14.0 11.7
Prędkość zapisu, GB/s

8.5 6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 17000

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2324 1763

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Kingston KTC1G-UDIMM 1GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

AMD R748G2400U2S 8GB

AMD R748G2400U2S 8GB