RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Porównaj
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
56
Wokół strony -47% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,925.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,315.2
8.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,925.7
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
658
2206
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB Porównanie pamięci RAM
ProMos/Mosel Vitelic V916764K24QAFW-F5 512MB
Kingston DNU540DR4NABND1 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link