RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
19.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3714
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link