RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
60
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,381.6
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
6400
4200
Wokół strony 1.52 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
52
60
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
5,082.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
2,381.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
6400
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
925
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link