RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
52
Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3593
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4C
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link