RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
52
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
22
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
19.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3879
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB Porównanie pamięci RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XN205T-MIE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link