RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
77
Wokół strony 32% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
77
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
5.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1440
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Porównanie pamięci RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link