Porównanie pamięci RAM A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Wynik ogólny

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 52

Wokół strony -73% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 1,145.9

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

21300 4200

Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara

4-4-4-12 / 533 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

409 2374

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns