RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
75
Wokół strony 31% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
75
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1660
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link