RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
52
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
4200
Wokół strony 4.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
17000
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
2792
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR2 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link