RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
4200
Wokół strony 5.07 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
21300
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
3116
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link