RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
71
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
1,145.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
71
Prędkość odczytu, GB/s
2,614.5
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,145.9
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
409
1902
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M4 70T2864AZ3-CE6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link