RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
66
Wokół strony -128% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3273
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Mushkin 994083 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5316-059.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link