RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
66
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.0
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
26
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
18.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
4005
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link