RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2620
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link