RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2620
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link