RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
66
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
34
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3206
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link