RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сравнить
A-DATA Technology DQVE1908 512MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
66
Около -94% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.6
1,557.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
66
34
Скорость чтения, Гб/сек
2,775.5
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,557.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
382
3206
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Сравнения RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link