RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
66
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3373
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
INTENSO 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link