RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Porównaj
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,557.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
66
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,775.5
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,557.9
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
382
3933
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Porównanie pamięci RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99P5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F5-6000U3636E16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link