RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
46
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3648
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link