RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3859
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link