RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
17.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
17.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3845
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link