RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
2440
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link