RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Porównaj
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wynik ogólny
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
961.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
53
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
53
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,172.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
961.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
403
2831
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link