RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
961.2
11.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
53
Около -66% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
4200
Около 4.57 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,172.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
961.2
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
4200
19200
Other
Описание
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
403
2831
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link