RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Porównaj
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Wynik ogólny
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
54
65
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,131.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
4200
Wokół strony 4.57 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
65
Prędkość odczytu, GB/s
2,710.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,131.7
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
19200
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
2041
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB Porównanie pamięci RAM
Mushkin 991556 (996556) 2GB
Kingston 6400DT Series 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link