RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
26
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.1
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.1
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3506
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
INTENSO 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link