RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
30
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3389
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link