RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
26
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2631
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link