RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2261
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Inmos + 256MB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link