RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
32
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2261
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link