RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
39
Wokół strony 33% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
39
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
9.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1966
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link