RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
44
Wokół strony 41% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
44
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
1660
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
INTENSO 5641160 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link