RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
43
Wokół strony 40% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
12800
Wokół strony 1.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
43
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
23400
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2794
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
King Tiger Technology Tigo-X3-3200MHz-8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link