RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
2633
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link