RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
31
Wokół strony 16% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
31
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3208
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link