RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
34
Wokół strony 9% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
31
34
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2735
2732
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
INTENSO 5641160 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link