RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
29
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.8
12.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.7
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
9.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
2609
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link