RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Porównaj
Corsair CM2X1024-6400 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Wynik ogólny
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,254.8
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
54
Wokół strony -145% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
54
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,715.6
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,254.8
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
857
3035
Corsair CM2X1024-6400 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
INTENSO 5641152 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link