RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Porównaj
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
38
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
9.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
38
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
9.1
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2099
2808
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB Porównanie pamięci RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
G Skill Intl F3-10666CL9-4GBSQ 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link