RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
46
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2660
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link