RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
24
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
24
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
3230
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170ME68F9F1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link