RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Porównaj
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB vs Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
70
Wokół strony 36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
70
Prędkość odczytu, GB/s
6,336.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,935.8
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1144
2519
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB Porównanie pamięci RAM
OCZ OCZ2T8001G 1GB
Micron Technology 9HTF6472FY-667B4D3 512MB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link