RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
1832
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2666C15 8GB
Kingston HP691160-H66-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link