RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Porównaj
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wynik ogólny
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
30
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
6.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
17
30
Prędkość odczytu, GB/s
22.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
15.4
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3391
1832
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link