RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Porównaj
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
29
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.7
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.3
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
21
Prędkość odczytu, GB/s
16.9
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
17000
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2601
3437
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link