RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
41
Wokół strony -52% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
8.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
27
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.8
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2394
3714
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link