RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Porównaj
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB vs Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.2
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.4
9.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
42
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
28
Prędkość odczytu, GB/s
13.2
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.4
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2326
2586
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KVR800D2E5-2G 2GB
TwinMOS 9D7TCO4E-TATP 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link